8英寸MEMS晶圆生产线之低应力氮化硅生长炉和原位掺杂多晶硅生长炉国际招标公告(2)
项目详情
****受招标人委托对下列产品及服务进行国际公开竞争性招标，于2024-05-10在中国国际招标网公告。本次招标采用传统招标方式，现邀请合格投标人参加投标。1、招标条件项目概况:设备名称：低应力氮化硅生长炉、原位掺杂多晶硅生长炉设备数量：设备1 原位掺杂多晶硅生长炉（1台）：包含低应力多晶硅/多晶硅/原位掺杂多晶硅工艺模块和TEOS工艺模块；设备2 低应力氮化硅生长炉（1台）：包含低应力氮化硅工艺模块和氮化硅工艺模块。设备用途：用于生长低应力氮化硅/原位掺杂多晶硅/低应力多晶硅/多晶硅/TEOS薄膜。资金到位或资金来源落实情况:已到位项目已具备招标条件的说明:已具备2、招标内容招标项目编号:0664-2440SUMECF28/06招标项目名称:8英寸MEMS晶圆生产线之低应力氮化硅生长炉和原位掺杂多晶硅生长炉项目实施地点:中国安徽省招标产品列表(主要设备):序号 产品名称 数量 简要技术规格备注1 低应力氮化硅生长炉 1 薄膜应力范围 -40~＋40MPa (4μm Poly退火后，应力可调)。其他参数详见第八章无2 原位掺杂多晶硅生长炉 1 应力范围 -100~0MPa，应力可调。其...
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